上海普芯达电子有限公司__CW24CXX 串行I2C总线EEPROM

特性

宽范围的工作电压1.8V～5.5V
低电压技术
- 1mA典型工作电流
- 1μA 典型待机电流
存储器组织结构
- CW24C02, 256 X 8 (2K bits)
- CW24C04, 512 X 8 (4K bits)
- CW24C08, 1024 X 8 (8K bits)
- CW24C16, 2048 X 8 (16K bits)
- CW24C32, 4096 X 8 (32K bits)
- CW24C64, 8192 X 8 (64K bits)
2线串行接口，完全兼容I2C总线
I²C时钟频率为1 MHz (5V), 400 kHz (1.8V, 2.5V, 2.7V)
施密特触发输入噪声抑制
硬件数据写保护
内部写周期 (最大5 ms)
可按字节写
页写：8字节页 (CW24C02)，16字节页 (CW24C04/08/16)，32字节页(32K, 64K)
可按字节，随机和序列读
自动递增地址
ESD保护大于2.5kV
高可靠性
- 擦写寿命：100万次
- 数据保持时间：100年
无铅工艺，符合RoHS标准

封装信息

DIP8L

SOP8L

DFN8 (2×3)

TSSOP8

应用领域

智能化仪器仪表
工业控制
家用电器
汽车电子
计算机/笔记本电脑
通信设备

替换型号

CW	ATMEL	Fairchild	ISSI	Microchip	ST
CW24CXXP	AT24CXX-10P	NM24CXXN	IS24CXXP	24CXXAP	ST24WXXB
CW24CXXD	AT24CXX-10S	NM24CXXM8	IS24CXXS	24CXXASN	ST24WXXM

典型参数

产品型号	工作电压(V)	接口方式	最大擦写次数	位密度	结构	最大写周期(ms)	最大时钟频率(MHz)	封装/温度(℃)	描述
CW24C02D	1.8～5.5	I²C	1M	2K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C02DR	1.8～5.5	I²C	1M	2K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C02P	1.8～5.5	I²C	1M	2K	×8	5	1	DIP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C02F	1.8～5.5	I²C	1M	2K	×8	5	1	DFN8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C02T	1.8～5.5	I²C	1M	2K	×8	5	1	TSSOP8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C04D	1.8～5.5	I²C	1M	4K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C04DR	1.8～5.5	I²C	1M	4K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C04P	1.8～5.5	I²C	1M	4K	×8	5	1	DIP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C04F	1.8～5.5	I²C	1M	4K	×8	5	1	DFN8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C04T	1.8～5.5	I²C	1M	4K	×8	5	1	TSSOP8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C08D	1.8～5.5	I²C	1M	8K	×8	5	1	SOP8L/-40～+85	两线串行EEPROM
CW24C08DR	1.8～5.5	I²C	1M	8K	×8	5	1	SOP8L/-40～+85	两线串行EEPROM
CW24C08P	1.8～5.5	I²C	1M	8K	×8	5	1	DIP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C08F	1.8～5.5	I²C	1M	8K	×8	5	1	DFN8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C08T	1.8～5.5	I²C	1M	8K	×8	5	1	TSSOP8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C16D	1.8～5.5	I²C	1M	16K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C16DR	1.8～5.5	I²C	1M	16K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C16P	1.8～5.5	I²C	1M	16K	×8	5	1	DIP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C16F	1.8～5.5	I²C	1M	16K	×8	5	1	DFN8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C16T	1.8～5.5	I²C	1M	16K	×8	5	1	TSSOP8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C32D	1.8～5.5	I²C	1M	32K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C32DR	1.8～5.5	I²C	1M	32K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C32P	1.8～5.5	I²C	1M	32K	×8	5	1	DIP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C32F	1.8～5.5	I²C	1M	32K	×8	5	1	DFN8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C32T	1.8～5.5	I²C	1M	32K	×8	5	1	TSSOP8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C64D	1.8～5.5	I²C	1M	64K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C64DR	1.8～5.5	I²C	1M	64K	×8	5	1	SOP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C64P	1.8～5.5	I²C	1M	64K	×8	5	1	DIP8L/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C64F	1.8～5.5	I²C	1M	64K	×8	5	1	DFN8/-40～85	两线串行EEPROM
CW24C64T	1.8～5.5	I²C	1M	64K	×8	5	1	TSSOP8/-40～85	两线串行EEPROM

应用咨询

1. CW24CXX的从地址和字地址如何确定？

不同容量芯片的从地址取决于引脚（A0、A1、A2），并由器件地址和页地址组成。
CW24C02/32/64的从地址不含页地址，使用全部地址引脚（A0、A1、A2），最多可连接8个器件。
CW24C04的从地址含2个页地址，仅使用地址引脚（A1、A2），最多可连接4个器件。
CW24C08的从地址含4个页地址，仅使用地址引脚（A2），最多可连接2个器件。
CW24C16的从地址含8个页地址，只可连接1个器件。

此外，CW24C02/04/08/16使用1个字地址，CW24C32/64使用2个字地址。

2. CW24CXX页写入的原理是什么？

CW24CXX系列的EEPROM为了提高写入效率，提供了页写功能，内部有一页大小的写缓冲RAM，当接收写入数据时，先依次存入相对应低端地址的RAM缓冲区中，如果超出一页容量的数据，就回滚覆盖缓冲区中最早写入的数据，直至收到STOP停止信号，才将缓冲区中的数据一次写入EEPROM，所以每次最大写入的数据不会超过一页。
器件页面空间是按照指定字节数固定划分的，如果要写入的目标地址，跨了页的边界，即使数据量不大，也必须分次写入。

其中，CW24C02的单页容量是8字节；CW24C04/08/16的单页容量是16字节；CW24C32/64的单页容量是32字节。